Рассчитать простейшую схему выпрямителя без сглаживающего фильтра для выпрямления синусоидального напряжения с действующим значением U, используя диоды, указанные в табл. 2.

Составить и рассчитать выпрямительную цепь, позволяющую получить требуемый выпрямленный ток Iвыпр = Im , если используются диоды, указанные в табл. 3.

Пользуясь вольт-амперной характеристикой (ВАХ) полупроводникового диода для заданной температуры, при заданных значениях прямого напряжения Uпр1 и обратного напряжения Uобр1 определить сопротивление диода постоянному току и дифференциальные сопротивления. Исходные данные приведены в таблице.

Заданный тип стабилитрона (табл. 5) включен в схему стабилизатора напряжения (рис. 7) параллельно с резистором RH, кОм. Параметры стабилитрона: напряжение стабилизации, UCT, В; максимальный ток Iст.max, мА, минимальный ток Iст.min мА. Определить сопротивление ограничительного резистора Rогр, если напряжение источника питания меняется от Emin, В до Етах, В. Численные значения приведены в табл. 5.

Транзистор в Т-образной схеме замещения (рис. 8) имеет следующие параметры: коэффициент передачи тока эмиттера α; дифференциальное сопротивление коллекторного перехода rк, МОм; объемное сопротивление базы rб, Ом; дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода, включенного в прямом направлении, rэ, Ом (табл. 6). Определить h-параметры для схемы с ОБ.

 

 

Опишите устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Приведите его условное графическое обозначение.

Ответ: Простейший полевой транзистор с управляющим р-п-переходом представляет собой полупроводниковую структуру.

Рис. Структура полевого транзистора и схема включения с ОИ:
1 — стержень примесного полупроводника; 2 — металлизированные выводы истока (И) и стока (С); 3 — шейка; 4 — высоколегированный полупроводник p+-типа; 5 — металлизированный вывод затвора (З); 6 — потенциальный барьер при UЗИ = 0; 7 — потенциальный барьер при|UЗИ| > 0

Рассмотрим структуру с вертикальным каналом. Основой являются стержень 1 примесного полупроводника (рис.), в данном примере n-типа, от которого выполнены металлизированные выводы 2 — истока И и стока С.

На стержне имеется шейка 3, в которой путем вплавления создан охватывающий все сечение по кольцу слой высоколегированного полупроводника с противоположной, чем у стержня проводимостью, затвор 4 (в данном примере р+ - типа), от которого выполнен металлизированный вывод 5 от затвора 4. Объем кристалла полупроводника между истоком и стоком называется каналом, в котором при подключении напряжения (UС) начнется движение основных носителей зарядов. Схематический разрез такого транзистора, показанный на рис.

Рис.  Схематический разрез полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и вертикальным каналом:

1 — затвор; 2 — канал; 3 — область пространственного заряда; 4 — исток; 5 — сток; 6 — слой полупроводника с электропроводностью n+-типа; 7 — слой полупроводника с электропроводностью n-типа

Предположим вначале, что ни один из выводов транзистора не подключен. Между n- и р+-областями образуется потенциальный барьер р-n-перехода. Поскольку концентрация примесей в кристалле канала n-типа значительно меньше концентрации примесей в кристалле затвора p-типа, потенциальный барьер p-n-перехода сосредоточен в основном в n-области, т.е. в канале (показан штриховой линией на рис.).

Предположим теперь, что между истоком (И) и стоком (С) включено напряжение (UC). По каналу (n-область) начнут двигаться электроны и.............